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V-NAND到底是个啥?三星970EVO Plus性能背后

发布于:2020-08-01
  当我们在聊固态硬盘的时候,我们到底在聊些什么?经历了十数年的行业发展后,固态硬盘的技术规范和产品形态上逐步实现了统一,各家产品的差异已然上升到了内部架构和核心组件方面的技术代差上了。
  简单剖析,固态硬盘产品的内核无外乎三大组件,用于调控整体存储功能和特殊机制的“大脑”即主控芯片,产品内部制作成本最高、担当存储重任的闪存颗粒,以及部分产品上用于产品支撑的缓存颗粒。
  固态硬盘内部结构
  至于重要性而言,一举打破存储行业格局,让固态硬盘走入千家万户的存储介质,即闪存颗粒部分,可以说是区别固态硬盘好坏的最重要的内核组件。今天,笔者就以业界知名的三星970EVO Plus为实例,简单聊下关于闪存颗粒的技术和功能演变。
  01 关于NAND闪存:单位电荷数Bit的变迁
  NAND闪存,按照业界一般的理解, 本质上是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,其中非易失性的突出特点,使得这种基于通断电存储的介质能够长久的保存数据,最终使得NAND闪存颗粒走向了前台;其实,熟悉闪存的朋友,可能还听过另一个词,即Dram颗粒,即动态随机存取存储器,同样是基于通断电的特性,只不过DRAM芯片的每次存储数据的过程中需要对于存储信息不停的刷新,无法实现长久存储,因而错过了这次“C位出道”的时机。
  三星原厂NAND闪存颗粒
  NAND闪存工作的原理是通过单位NAND内部电荷数Bit的通电和放电,实现对数据的存储。基于无机械结构的电荷存储优势,NAND闪存技术能够提供包括高性能、稳定、耐摔耐磕碰、一体成型故障率低等多种特点,迅速成为了各家存储厂商研发的重点。
  因而,为了进一步提升NAND闪存容量,满足用户对于大容量存储的需求,在以三星、东芝、Intel等领先的NAND原厂推进下,研发出了不同电荷数Bit的多种NAND颗粒,即为SLC(1bit)、MLC(2bit)、TLC(3bit)、QLC(4bit)以及处于实验阶段即将量产的PLC(5bit)等类型。
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